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日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。
新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。
應用
- 軌道車輛的逆變器和轉換器
- 可再生能源發電系統
- 馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器
特點
- 安裝方式相容Si IGBT模組
- 損耗低於Si IGBT模組
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值），Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A，Tch=150°C
主要規格
（除非另有規定，否則@Tc=25°C） |
組件編號 | MG600Q2YMS3 | MG400V2YMS3 |
封裝 | 2-153A1A |
絕對 最大 額定值 | 漏級-源級電壓VDSS (V) | 1200 | 1700 |
閘級-源級電壓VGSS (V) | +25/-10 | +25/-10 |
漏極電流 (DC) ID (A) | 600 | 400 |
漏極電流（脈衝）IDP (A) | 1200 | 800 |
溝道溫度Tch (°C) | 150 | 150 |
隔離電壓Visol (Vrms) | 4000 | 4000 |
電氣 特性 | 漏級-源級導通電壓（感應） VDS(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
源級-漏級導通電壓（感應） VSD(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A |
源級-漏級關斷電壓（感應） VSD(off)sense典型值(V) | @VGS =-6V, Tch＝25°C | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A |
開通損耗Eon typ. (mJ) Eon典型值(mJ) | @Tch=150°C | 25 @ VDS=600V, ID=600A | 28 @VDS=900V, ID=400A |
關斷損耗Eoff typ. (mJ) Eoff典型值(mJ) | @Tch=150°C | 28 @ VDS=600V, ID=600A | 27 @VDS=900V, ID=400A |
熱敏電阻特性 | 額定NTC電阻R典型值(kΩ) | 5.0 | 5.0 |
NTC B值 B典型值(K) | ＠TNTC=25 - 150°C | 3375 | 3375 |
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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
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SiC功率元件
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