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-擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容-

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)為其採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」增加了80V N溝道功率MOSFET。新推出的MOSFET適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。



新增產品包括採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及採用TSON Advance封裝的TPN19008QM。產品即日起出貨。

由於採用了最新一代製程技術,比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比,新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構,漏源導通電阻與閘極電荷特性[1]之間的平衡也得到了改善[2]。因此,新產品可提供業界最低的功耗[3]

東芝正在擴展其降耗型產品系列,以協助降低設備功耗。

應用場合

  • 開關電源(高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等)
  • 馬達控制設備(馬達驅動器等)

特性

  • 業界最低[3]功耗(透過改善導通電阻與閘極電荷特性[2]之間的平衡)
  • 業界最低 [3]導通電阻:
    VGS=10V (TPH2R40QM)時,RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)
    VGS=10V (TPN19008QM)時,RDS(ON)=19mΩ(最大值)
  • 高額定通道溫度:Tch = 175℃

主要規格

(除非另有說明,Ta=25℃時)

產品型號

TPH2R408QM

TPN19008QM

絕對

最大

額定值

漏源電壓VDSS (V)

80

80

漏極電流(DC) ID (A)

Tc=25℃時

120

34

通道溫度Tch (℃)

175

175

電氣

特性

漏源導通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

VGS=10V時

2.43

19

VGS=6V時

3.5

28

總閘極電荷(閘源+閘漏)

Qg典型值(nC)

87

16

閘極開關電荷Qsw典型值(nC)

28

5.5

輸出電荷Qoss典型值(nC)

90

16.5

輸入電容Ciss典型值(pF)

5870

1020

封裝

名稱

SOP Advance

TSON Advance

尺寸典型值(mm)

5.0×6.0

3.3×3.3

進貨與採購

線上購買

線上購買


[1] 總閘極電荷(閘源+閘漏)、閘極開關電荷、輸出電荷
[2] 與TPH4R008NH(U-MOS VIII-H系列)相比,TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%,漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%,漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。
[3] 截至2020年3月30日,東芝調查。

如需獲得有關新產品的更多資訊,請關注以下連結
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

如需獲得有關東芝12-300V MOSFET系列的更多資訊,請關注以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

如需查看線上經銷商處的新產品供應資訊,請造訪:
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
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*公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

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功率元件銷售與行銷部
電話:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

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