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2021年1月開始為一家多晶片模組製造商量產與出貨

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--為了實現運用於次世代半導體封裝元件的特殊玻璃載體HRDP®1的商品化,三井金屬礦業株式會社(Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.)(總裁:Keiji Nishida;以下稱「三井金屬」)一直與吉奧馬科技(GEOMATEC Co.,Ltd.)(總裁:Kentaro Matsuzaki)合作,共同擴建大規模生產系統。三井金屬今天欣然宣布,該公司已開始為日本國內一家多晶片模組製造商量產HRDP®



三井金屬在2018年1月的新聞稿中宣布開發HRDP®,這是一種根據RDL First方法2,使用玻璃載體為扇出型(Fan Out)面板級封裝建立超細電路的材料。

HRDP®是一種特殊的玻璃載體,能夠實現次世代半導體封裝技術-扇出封裝3的高效率生產,包括使用2/2μm或以下4的線寬/線距(L/S)比設計的超高密度電路。目前有20多家客戶正在對HRDP®的商品化進行評估。

第一階段是從2021年1月開始,為日本國內一家多晶片模組製造商進行量產。該客戶將使用HRDP®生產將來不斷擴大的5G市場製造元件,包括RF模組5和各種應用的其他元件,並預期增加營業額。

在第二階段,一家先進的海外封裝製造商計畫在2021會計年度採用HRDP®

此外,公司還計畫為其他新客戶的各種應用啟動量產,例如2022會計年度及以後的HPC6和手機,而且預期HRDP®市場將進一步擴大。

三井金屬將以「材料智慧」為口號,幫助客戶實現願望,確保穩定的品質和充足的供應,為客戶提供一站式解決方案並努力幫助他們擴大市佔率。

名詞解釋
1 High Resolution De-bondable Panel的縮寫
2 Re-Distribution Layer First方法:在完成形成重佈線層的流程之後封裝半導體晶片
3 扇出封裝:無基板封裝技術,將超細重佈線層擴展到晶片尺寸之外
4 L/S=2/2 µm:線寬2 µm,相鄰線路間距2 µm。
5 射頻模組:配備多個主動元件(IC晶片)和被動元件(SAW、電容器、電阻器和線圈)並密封的產品
6 高效能運算:具有大規模、超高速運算/處理能力的電腦

參考文獻
《開發HRDP®材料以使用玻璃載體為扇出型面板級封裝建立超細電路》(2018年1月25日的新聞稿)
https://www.mitsui-kinzoku.com/Portals/0/resource/uploads/topics_180125e.pdf?TabModule127

有關使用HRDP®的RDL First方法的影片
https://www.youtube.com/watch?v=vHhng-NV9QA

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。


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[有關此新聞和HRDP®產品的諮詢聯絡方式]
三井金屬礦業株式會社企業傳播部
KASAHARA Norio先生
電話:+81-3-5437-8028 電子郵件:[email protected]

[有關HRDP®產品的諮詢聯絡方式](支援本國語言。)
中國
倞永科技(南京)有限公司
Jordon Jiang先生
電話:+86-18601423513 電子郵件:[email protected]
臺灣
儁永科技股份有限公司
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Suh Jeong Wook先生
電話:+82-1053711563 電子郵件:[email protected]

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