Content:

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊) --東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出了一款針對工業應用的碳化矽(SiC) MOSFET模組——MG800FXF2YMS3,該模組整合了新開發的雙通道SiC MOSFET晶片,額定電壓和電流分別為3300V和800A。該產品將於2021年5月投入量產。



為達到175℃的通道溫度,這款新產品採用具有銀燒結內部接合技術和高黏著相容性的iXPLV(智慧軟性封裝低電壓)封裝。新模組可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效率精簡型設備的需求。

應用

  • 用於軌道車輛的逆變器和轉換器
  • 可再生能源發電系統
  • 工業電機控制設備

特性

  • 漏源額定電壓:VDSS=3300V
  • 漏極額定電流:ID=800A雙通道
  • 寬通道溫度範圍:Tch=175°C
  • 低損耗:
    Eon=250mJ (典型值)
    Eoff=240mJ (典型值)
    VDS(on)sense=1.6V (典型值)
  • 低雜散電感:Ls=12nH (典型值)
  • 高功率密度的小型iXPLV封裝

主要規格

(除非另有說明, Tc=25°C時)

元件型號

MG800FXF2YMS3

封裝

iXPLV

額定

最大

絕對值

漏源電壓VDSS (V)

3300

柵源電壓VGSS (V)

+25/-10

漏極電流(DC) ID (A)

800

漏極電流(脈衝)IDP (A)

1600

通道溫度Tch (°C)

175

隔離電壓Visol (Vrms)

6000

電氣

特性

漏源電壓導通電壓(感應)

VDS(on)sense典型值(V)

VGS= +20V,

ID=800A 時

1.6

源漏電壓導通電壓(感應)

VSD(on)sense典型值(V)

VGS= +20V,

Is=800A時

1.5

源漏電壓關斷電壓(感應)

VSD(off)sense典型值(V)

VGS= -6V,

Is=800A 時

2.3

雜散電感模組LSPN 典型值(nH)

12

導通開關損耗

Eon典型值(mJ)

VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C時

250

關斷開關損耗

Eoff典型值(mJ)

VDD=1800V,

ID=800A,

Tch=150°C時

240

如需瞭解有關新產品的更多資訊,請按以下連結。
MG800FXF2YMS3
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

如需瞭解有關東芝SiC功率元件產品的更多資訊,請按以下連結。
SiC功率元件
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

客戶詢問:
小型訊號元件銷售與市場部
電話:+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文件中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容和聯絡資訊,均為發布之日的最新資訊,如有更改,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社

東芝電子元件及儲存裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一身。自2017年7月成為一家獨立公司以來,公司已躋身領先的通用設備公司之列,並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD解決方案。

公司在全球各地的2.4萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。公司期待在目前超過7500億日圓(68億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全人類創造更加美好的未來。
如需瞭解更多關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社的資訊,請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。


Contacts

媒體詢問:
Chiaki Nagasawa
數位行銷部
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
電話:+81-3-3457-4963
[email protected]

熱門排行榜

本日熱門