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在更高密度、速度和成本節約方面具有優勢

新加坡--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Unisantis® Electronics Singapore Pte. Ltd.今天公布了公司在動態快閃記憶體(DFM)®技術方面的進展,這是該產業為未來的低成本、高密度嵌入式或獨立式記憶體應用尋找DRAM替代品的一次飛躍。與DRAM或其他類型的揮發性記憶體相比,DFM能夠提供更快的速度和更高的密度。


5月18日,在第13屆電機電子工程師學會(IEEE)國際記憶體研討會(IMW)上,Unisantis的Koji Sakui博士和Nozomu Harada博士在一篇題為《具有雙閘極環繞閘極電晶體(SGT)的動態快閃記憶體》(Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT))的論文中首次介紹了由他們發明的DFM。

DRAM是一種揮發性、基於電容器、破壞性讀取的記憶體,如何在不增加功耗的情況下,繼續以更低的成本增加更多的儲存量,是其長期以來面臨的挑戰。DFM採用一種革命性的方法來克服傳統揮發性記憶體(如DRAM)的局限性,這類傳統記憶體天生具有短暫、規律且耗電的更新週期以及破壞性的讀取過程。

DFM也屬於揮發性記憶體,但由於不依賴電容器,因此洩漏路徑較少,在開關電晶體和電容器之間沒有連接。其結果是一種有可能大幅提高電晶體密度的單元設計,因為DFM不僅能提供區塊更新,而且作為快閃記憶體還能提供區塊抹除,它可以降低更新週期的頻率和額外負擔,與DRAM相比,在速度和功率方面有顯著改善。

透過使用TCAD模擬,Unisantis證明了DFM與DRAM相比具有將密度提高4倍的巨大潛力。根據IEEE國際固態電路會議(ISSCC) 最近發表的論文,DRAM的擴充性幾乎已經停止在16Gb。4F2單元密度下的DFM模型顯示出了DFM的完美結構。DFM的設計和開發意味著顯著的Gb/mm2改進,對於DRAM的限制(目前為16Gb),在使用DFM經徹底增強的單元結構之後,可能會立即增加到64Gb記憶體。

取代DRAM是業界的一項重大挑戰,這不僅是因為今天的DRAM占當前記憶體市場需求的50%以上(Yole Development, 2020)。預測顯示,到2025年,這種低成本、高密度的DRAM將繼續成長並且市場規模將突破1000億美元。然而,包括無電容DRAM、ZRAM或簡單化的GAA和Nanosheet方法在內的某些替代品方案同樣面臨著挑戰,與DFM相比,它們都有各自的局限性。

DFM的共同發明人、Unisantis公司的Koji Sakui評論道:「記憶體產業早已接受了DRAM技術接近其壽命終點的事實,但其巨大的市場意味著任何替代技術都必須在效能、成本和未來延展性之間取得適當的平衡。在大量的內部研究和測試之後,我們很高興向市場推出DFM,使其成為長期可行的DRAM首選替代方案。」

Unisantis Electronics資深副總裁James Ashforth-Pook補充道:「我們很高興能夠展示動態快閃記憶體(Dynamic Flash Memory),它與目前的DRAM架構相比具有明顯的優勢。」

在今天的發布之後,公司目前正在尋求進一步推動自身技術發展,同時透過一系列記憶體和代工合作夥伴關係,在外部測試和展示DFM的功能和更充分的潛力。

關於DFM和Unisantis SGT Technology應用的更多詳細資訊將在未來的活動中公布。

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資深副總裁,James Ashforth-Pook
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