Content:
  • 解决最廣泛的功率頻譜問題:全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設計已經亮相,1200 V SuperGaN SiP 設計資源將揭開面紗
  • 展示 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能

加利福尼亞州戈萊塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN) 是高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 電源轉換產品的先鋒和全球供應商。該公司今天宣布將亮相 2023 年電力電子展,強調公司在跨越功率譜的市場應用中不斷擴展的足迹。參展設備將展示 Transphorm 的能力,即透過無與倫比的可製造性、可設計性、可驅動性和可靠性的氮化鎵功率轉換解決方案以彰顯公司在廣譜(低功率到高功率)GaN 電源轉換方面的持續領導地位。歡迎與會者在 5 月 9 日至 11 日的活動中光臨 Transphorm 在 7 號廳的 108 號展位。


降低 BOM 成本

WT7162RHUG24A 是最近宣布與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor) 合作開發的新型 SuperGaN® 系統級封裝 (SiP),繼在 APEC 2023 上首次亮相後,將在此展會上再次展出。它將與 Weltrend 的高效單級 65 W USB-C PD 3.0 + PPS 電源適配器一起展出。此款電源適配器的設計參考了全新集成電路構建。該電路板的總峰值效率約為 94.0%,功率密度為 26 W/in 3,為可程式設計轉接器提供了一個全面的、經濟高效的解決方案。如需 SiP 樣品,請聯絡 [email protected]

展示系統性能的提高

對於尋求前所未有的功率轉換效能的工程師來說,Transphorm 的設備組合提供了多種選擇。這些器件採用性能封裝,如果客戶需要插入式替換件,則採用引脚對引脚相容的行業標準封裝。現場靜態演示將展示如何透過 Transphom FET 替換現有的遊戲筆記型電腦充電器裏的 TSMC e-mode 設備顯著提高系統性能。

簡化 GaN 在 3kW 逆變器系統中的使用

最新發佈的 TDINV3000W050B-KIT 是一款 3.0 kW 直流-交流非隔離全橋逆變器評估板,將在此次展會首次亮相。它的作用是將 Transphorm 的 TP65H050G4WS SuperGaN FET 與 Microchip Technology 的 dsPIC33CK 數位信號控制器 (DSC) 板配對。DSC 主機板配備了預程式設計固件,有助於理解和促進更多工業領域和可再生能源系統中的 superGaN 解決方案的開發。

促進汽車行業 GaN 解決方案的多樣化

得益於 Transphorm 的科技專長,它能够為以汽車為主體的 GaN 功率轉換解決方案樹立關鍵的行業基準。Transphorm 率先推出符合 AEC-Q101 標準的 650 V 設備,也是唯一一家推出符合 175°C 標準的 AEC-Q101 設備的 GaN 設備製造商。此外,在電力電子展會上,Transphorm 將發佈一年前首次展示的 1200 V GaN 設備的設計資源,打造新的里程碑。該設備將完善本就强大的 650 V 解決方案,使各種電動汽車應用發揮更大作用。

演講活動

Bodo 的電力系統會議期間,瞭解有關 Transphorm 的 GaN 平臺如何影響所有功率級別的電力系統的更多資訊。

小組討論:採用 GaN HEMT 和垂直 GaN 的寬帶隙設計
演講貴賓:業務發展與行銷高級副總裁 Philip Zuk
日期: 5 月 10 日
時間:1:05 p.m. CEST
地點:Industry Stage, Hall 7, Booth 480

一個核心平台,涵蓋功率波譜

Transphorm 是一家領先的 GaN 功率半導體公司,憑藉以下技術特性而擁有競爭優勢:

可製造性:垂直一體化,擁有 EPI 設計、晶圓製造製程和 FET 晶片設計能力。

可設計性:提供廣泛採用的產業標準封裝和性能封裝,同時與全球知名的韌體領導者合作,簡化了設計。

可驅動性:旗下元件的驅動方式與矽元件相同,可與現成的控制器和驅動器搭配使用,同時僅需少量外部電路。

可靠性:在覆蓋低功率到高功率的所有應用中,經超過 1250 億小時的現場運作後,當前的失效率 (FIT) < 0.05,處於產業領先地位。

歡迎參觀我們的展位

如需在展會期間安排與Transphorm會面,請聯絡我們:[email protected].

關於 Transphorm

Transphorm, Inc. 是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm 擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過 1,000 多項,在業界率先生產經 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、元件和應用支援。Transphorm 的創新使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過 99%、將功率密度提高 40% 以及將系統成本降低 20%。Transphorm 的總部位於加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊,請造訪 www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa 和微信 @ Transphorm_GaN 上關注我們。

SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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